産学連携機構九州 : 立方晶窒化ホウ素薄膜電界電子放出体および製造方法の特許詳細

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立方晶窒化ホウ素薄膜電界電子放出体および製造方法

出願日	2007年12月27日
出願番号	特願2007-336428
公開番号	未公開
特許番号
区分/技術分野	材料・機械
機能

【内容】

公開番号

未公開

【目的】

立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）は、ダイヤモンドと同等の優れた電気、光学、機械的特性を有し、ｃ−ＢＮは工具や耐磨耗材料、光学材料、半導体材料、短波長用光電子材料等の有用な機能材料になりうる物質である。その結晶粒は既に工業的に超高圧装置を用いて数万気圧の高圧下で合成されているが、高圧法では形状のコントロールは難しく、特に膜状につくることは非常に困難であった。本発明は、ｃ−ＢＮ低圧での合成法およびｃ−ＢＮを主体とする電子放出体を提供することを目的とする。

【効果】

本発明者らが開発した前記のフッ素を含むガス系からのｃ−ＢＮ膜は特性ラマン散乱ピークが見られるなど従来のｃ−ＢＮ膜より高い結晶性を持ち、厚い膜に作ることが可能である。また成膜時のイオンエネルギーを制御することにより、従来の窒化ホウ素膜より格段によい電界放出特性を得ることができる。

【概要】

本発明は、プラズマ装置の反応容器内において、基体上に窒化ホウ素を堆積させることにより立方晶窒化ホウ素を製造する方法とこれを主体とする電子放出体に関するものである。ホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法において、反応容器あるいは参照電極に対し、基体に正の電圧あるいは零電圧のバイアスをかけること、あるいは基体をフロート電位にすることにより、イオン衝撃の弱い状態で立方晶窒化ホウ素を含む窒化ホウ素を合成する。また、これを電子放出体とする。